Infineon MOSFET BSC024NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 48 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm
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Infineon MOSFET BSC024NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, TDSON De 8 Pines, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSC024NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, TDSON De 8 Pines, Config. Simple | |
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