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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2

About The 33mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx

900nm, mont. OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx. pasante, encapsulado TO-18 de 2, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.2plg, Diámetro: 5.33mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.54A/W, Polaridad: Inverso, Tiempo de Subida Típico: 10ns, MPN: OSD1-0

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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2

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Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-18 De 2

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