Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 120 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 830 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Nexperia MOSFET BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 de 3 pines, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Nexperia MOSFET BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of Nexperia MOSFET BSH108,215, VDSS 30 V, ID 1,9 A, SOT-23 De 3 Pines, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |