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IXYS Diodo, MEA75-12DA, Recuperación Rápida, 75A, 1200V Conexión De Silicio, 300ns, TO-240AA, 3-Pines 2.64V

About The 3kA, MPN: MEA75-12DA.64V, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Configuración de diodo: Ánodo común, Tipo de Diodo: Rectificador, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1

IXYS Diodo, Recuperación rápida, 75A, 1200V Conexión de silicio, 300ns, TO-240AA, 3-Pines 2.64V, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Configuración de diodo: Ánodo común, Tipo de Diodo: Rectificador, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.3kA, MPN: MEA75-12DA

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Schottky y Rectificadores

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Specifications of IXYS Diodo, MEA75-12DA, Recuperación Rápida, 75A, 1200V Conexión De Silicio, 300ns, TO-240AA, 3-Pines 2.64V

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Osram Balasto para Iluminación 4008321873743 40 W Electrónico para Fluorescente, 220 → 240 V, Forma de Lámpara Admitida: T5, Atenuable: No, Longitud: 280 mm, Anchura: 30 mm, Altura: 21mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +50°C, Distrelec Product Id: 30409753, Serie: QUICKTRONIC
    • IXYS MOSFET IXTN62N50L, VDSS 500 V, ID 62 A, SOT-227 de 4 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTN62N50L, VDSS 500 V, ID 62 A, SOT-227 de 4 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: Linear, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 800 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.

    • Eclipse Iman de neodimio, encapsulado, Ø 40mm, long. 8mm, espesor 8mm, con rosca M5, fuerza de tracción 50kg

    Eclipse Iman de neodimio, encapsulado, Ø 40mm, long. 8mm, espesor 8mm, con rosca M5, fuerza de tracción 50kg

    8mm, espesor 8mm, con rosca M5, fuerza de tracción 50kg, Tipo de Imán: Encapsulado de poca profundidad, Tipo de Accesorio: Tornillo M5, MPN: E1004/NEO.Eclipse Iman de neodimio, encapsulado, Ø 40mm, long.

    • onsemi Transistor, NPN 10 A 60 V DPAK (TO-252), 3 pines, 500 kHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 20 W, Tensión Base Máxima del Colector: 70 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD3055T4G
    • onsemi Transistor, NPN 10 A 60 V DPAK (TO-252), 3 pines, 500 kHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 20 W, Tensión Base Máxima del Colector: 70 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 6.73 x 6.22 x 2.38mm, MPN: MJD3055T4G