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STMicroelectronics Transistor, 2STD1665T4, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 Pines, Simple

About The STMicroelectronics Transistor, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 15 W, Tensión Base Máxima del Colector: 150 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 2.4 x 6

STMicroelectronics Transistor, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 15 W, Tensión Base Máxima del Colector: 150 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 2.4 x 6.6 x 6.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,6 V, MPN: 2STD1665T4

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

STMicroelectronics Transistor, 2STD1665T4, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 Pines, Simple

onsemi Circuito integrado biestable, CI biestable, EP, ECL SOIC 8 pines, alimentación 3 → 5,5 V, Función Lógica: Tipo D, Tipo de Señal de Salida: Diferencial, Tipo de Disparo: Borde positivo, Polaridad: Inversión|Sin inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Set/Reset: Reiniciar, Número de Elementos por Chip: 1, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 500ps, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: MC100EP51DG
onsemi Traductor de nivel lógico, TSSOP 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Salida: Diferencial, Dimensiones: 3.1 x 3.1 x 0.95mm, Corriente Máxima de Salida de Bajo Nivel: 24mA, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -3mA, Traducción: ECL a LVTTL, Condición de Prueba de Retardo de Propagación: 20pF, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3,6 V, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 1600 ps@ 20 pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: MC100EPT25DTG
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Specifications of STMicroelectronics Transistor, 2STD1665T4, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 Pines, Simple

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TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PT de 2 polos, DPDT, bobina 115V ac, 12A, Carril DIN, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Roscado, Longitud: 77mm, Resistencia de la Bobina: 4845Ω, Potencia de la Bobina: 1W, Material de los Contactos: Aleación Níquel Plata, Profundidad: 27.2mm, Altura: 78.3mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, MPN: PT2L7SB5 9-1415534-2
    • TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PT de 2 polos, DPDT, bobina 24V ac, 12A, Carril DIN, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Roscado, Longitud: 77mm, Resistencia de la Bobina: 192Ω, Potencia de la Bobina: 1W, Material de los Contactos: Aleación Níquel Plata, Profundidad: 27.2mm, Altura: 78.3mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, MPN: PT2L7RC4 9-1415534-0
    • Wurth Elektronik Condensador cerámico multicapa MLCC,, 4.7 nF, ±10 %, 25 V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Encapsulado: 0805 (2012M), Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.8 mm, Longitud: 2 mm, Profundidad: 1.25 mm, Serie: WCAP-CSGP, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125 °C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55 °C, Clase de Supresión: Class II, Tipo terminal: Soldadura, MPN: 885012207064
    • Wurth Elektronik Condensador cerámico multicapa MLCC,, 100 pF, ±10 %, 100 V dc, Montaje en Superficie, X7R clase II, Paquete/Carcasa: 0603 (1608M), Dimensiones: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm, Longitud: 1.6 mm, Serie: WCAP-CSGP, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125 °C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55 °C, Clase de Supresión: Class II, Tipo terminal: Soldadura, MPN: 885012206102
    • STMicroelectronics Transistor, NPN 3 A 80 V SOT-32, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 1,25 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 10.8 x 7.8 x 2.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD139-10
    • onsemi Traductor de nivel lógico, TSSOP 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Salida: Diferencial, Dimensiones: 3.1 x 3.1 x 0.95mm, Corriente Máxima de Salida de Bajo Nivel: 24mA, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -3mA, Traducción: ECL a LVTTL, Condición de Prueba de Retardo de Propagación: 20pF, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3,6 V, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 1600 ps@ 20 pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 3 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: MC100EPT25DTG
    • STMicroelectronics Transistor, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 15 W, Tensión Base Máxima del Colector: 150 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 2.4 x 6.6 x 6.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,6 V, MPN: 2STD1665T4
    • onsemi Circuito integrado biestable, CI biestable, EP, ECL SOIC 8 pines, alimentación 3 → 5,5 V, Función Lógica: Tipo D, Tipo de Señal de Salida: Diferencial, Tipo de Disparo: Borde positivo, Polaridad: Inversión|Sin inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Set/Reset: Reiniciar, Número de Elementos por Chip: 1, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 500ps, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: MC100EP51DG
    • STMicroelectronics Transistor, NPN 6 A 65 V DPAK (TO-252), 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 15 W, Tensión Base Máxima del Colector: 150 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 2.4 x 6.6 x 6.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 0,6 V, MPN: 2STD1665T4
    • onsemi Circuito integrado biestable, CI biestable, EP, ECL SOIC 8 pines, alimentación 3 → 5,5 V, Función Lógica: Tipo D, Tipo de Señal de Salida: Diferencial, Tipo de Disparo: Borde positivo, Polaridad: Inversión|Sin inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Set/Reset: Reiniciar, Número de Elementos por Chip: 1, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 500ps, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, MPN: MC100EP51DG