onsemi MOSFET NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,15 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 134 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Onsemi MOSFET NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple
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