Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 165 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 35 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V ac/dc, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: FCPF165N65S3L1 onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F de 3 pines, 2elementos, config.
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Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple | |
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