reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 165 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.

Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 165 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 35 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V ac/dc, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: FCPF165N65S3L1 onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F de 3 pines, 2elementos, config.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi MOSFET FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F De 3 Pines, 2elementos, Config. Simple
More Varieties

Rating :- 9.48 /10
Votes :- 41