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Infineon MOSFET BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5.35mm

Infineon MOSFET BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5.35mm

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Specifications of Infineon MOSFET BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple

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