Onsemi Transistor, BC846BDW1T1G, NPN 100 MA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 Pines, 100 MHz, Aislado
About The onsemi Transistor, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 380 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 0.9 x 2 x 1
onsemi Transistor, NPN 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 380 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 0.9 x 2 x 1.25mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BC846BDW1T1G
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Onsemi Transistor, BC846BDW1T1G, NPN 100 MA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 Pines, 100 MHz, Aislado
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Specifications of Onsemi Transistor, BC846BDW1T1G, NPN 100 MA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 Pines, 100 MHz, Aislado | |
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