Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 199 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 98 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.
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Onsemi MOSFET FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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