IXYS MOSFET IXFN360N15T2, VDSS 150 V, ID 310 A, SOT-227 de 4 pines, Serie: GigaMOS TrenchT2 HiperFET, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,07 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 38.23mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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IXYS MOSFET IXFN360N15T2, VDSS 150 V, ID 310 A, SOT-227 De 4 Pines
Specifications of IXYS MOSFET IXFN360N15T2, VDSS 150 V, ID 310 A, SOT-227 De 4 Pines | |
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