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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 2 Pines

About The 14mm, Fotosensibilidad de Pico: 0. 900nm, mont

900nm, mont. OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx. pasante, encapsulado TO-5 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.13plg, Diámetro: 9.14mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.54A/W, Polaridad: Inverso, Tiempo de Subida Típico: 9ns, MPN: OSD15-0

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Displays y Optoelectrónica > Optoacopladores y Fotodetectores > Fotodiodos

OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 2 Pines

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Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio OSD, IR, λ Sensibilidad Máx. 900nm, Mont. Pasante, Encapsulado TO-5 De 2 Pines

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onsemi Traductor de nivel lógico, TSSOP 8 pines, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -3mA, Corriente Máxima de Salida de Bajo Nivel: 24mA, Tipo de Salida: TTL, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 4.1 ns @ 20 pF, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 3.1 x 3.1 x 1.95mm, Longitud: 3.1mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 3.6 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: MC100EPT26DTG
    • Infineon MOSFET IPA50R140CPXKSA1, VDSS 550 V, ID 23 A, TO-220 FP de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IPA50R140CPXKSA1, VDSS 550 V, ID 23 A, TO-220 FP de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: CoolMOS CP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 140 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

    • Vishay Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 87.1V, Tensión Mínima de Ruptura: 60V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 54V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 6.9A, Protección ESD: Sí, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Dimensiones: 4.57 x 3.94 x 2.24mm, MPN: SMBJ54A-E3/52
    • ROHM LED PSML2, Blanco, Vf= 3,9 V, mont. superficial, encapsulado SMLK28

    ROHM LED PSML2, Blanco, Vf= 3,9 V, mont. superficial, encapsulado SMLK28

    superficial, encapsulado SMLK28, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de LEDs: 1, MPN: SMLK28WBNCW1.ROHM LED PSML2, Blanco, Vf= 3,9 V, mont.

    • onsemi Módulo de alimentación inteligente, Trifásico FNA23512A, 35A 20 (Maximum)kHz SPMCA-A 2 (Fault)mA 16.5 V Inducción ac,, Configuración de Salida: Terminación única, Tensión Máxima Colector-Emisor: 1200 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Conteo de Pines: 34, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 13.5 V, Aislamiento Nominal Máximo: 2500Vrms, Serie: SPM2, Dimensiones: 80.5 x 33.5 x 8.1mm
    • Schneider Electric Indicador luminoso serie Harmony XVB Universal, efecto Intermitente, Incandescente, Transparente,, Tensión de Alimentación: 24 vac, 24 → 48 vdc, Estilo de Montaje: Montaje en panel, Tipo de Corriente: AC, DC, Diámetro de la Base: 70mm, Color de la Carcasa: Negro, Lámpara Incluida: Sí, Altura: 63mm, Índice de Protección IP: IP65, Temperatura Máxima: +40°C, Temperatura Mínima: -25°C, MPN: XVBC4B7
    • OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    pasante, encapsulado TO-8 de 3 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.21A/W, Polaridad: Inverso, Tiempo de Subida Típico: 30µs, MPN: OSD60-5T 436nm, mont.97mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.17plg, Diámetro: 13.

    • OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    pasante, encapsulado TO-5 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.54A/W, Polaridad: Inverso, Tiempo de Subida Típico: 9ns, MPN: OSD15-0 900nm, mont. 900nm, mont. OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    • OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    436nm, mont.17plg, Diámetro: 13.pasante, encapsulado TO-8 de 3 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.

    • OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio OSD, IR, λ sensibilidad máx.

    54A/W, Polaridad: Inverso, Tiempo de Subida Típico: 9ns, MPN: OSD15-0 900nm, mont.13plg, Diámetro: 9.pasante, encapsulado TO-5 de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Altura: 0.