Infineon Diodo, IDW80C65D1XKSA1, 80A, 650V Conexión De Silicio, TO-247, 3-Pines

Name: Infineon - Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión De Silicio, TO-247, 3-Pines, MPN: IDW80C65D1XKSA1
Brand: Infineon
SKU: ABEA-311257
Price: 97.41 EUR
Availability: InStock

About The Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, MPN: IDW80C65D1XKSA1

Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, MPN: IDW80C65D1XKSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodo de Conmutación

Alpha Wire Tubo termorretráctil de Poliolefina Transparente, contracción 2:1, Ø 6.3mm, long. 76m

DiodesZetex Referencia de tensión ZXRE125EFTA, Fijo 20mA SOT-23 3 pines ±0.5 % 1,196 → 1,244 V, Tensión Nominal: 1.22V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Topología: Derivador, Tensión de Salida Mínima: 1,196 V, Regulación de Carga: 10 mV, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.02mm, Longitud: 3.04mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C

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TE Connectivity Conector hembra para PCB serie AMPMODU 1-2314926, de 14 vías en 2 filas, paso 2mm, 125 V, 650 V., 12A,, Tipo de Montaje: Orificio Pasante, Orientación del Cuerpo: Horizontal, Método de Terminación: Soldador, Tensión Nominal: 125 V ac, 650 (dieléctrica) V ac, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Revestimiento del Contacto: Chapados en níquel, Estaño, MPN: 1-2314926-4

, 12A,.TE Connectivity Conector hembra para PCB serie AMPMODU 1-2314926, de 14 vías en 2 filas, paso 2mm, 125 V, 650 V.

Norgren Electroválvula neumática, Serie 60, Rosca G 1/8, Función 3/2, Solenoide/Piloto, Colector, 750l/min, Solenoide Acoplado: Sí, Material del Cuerpo: Aluminio, Mínima Presión de Funcionamiento: 2bar, Máxima Presión de Funcionamiento: 8bar, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +50°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -10°C, Tamaño de la Rosca: 1/8pulgada, MPN: V60A413A-A2000

Norgren Electroválvula neumática, Serie 60, Rosca G 1/8, Función 3/2, Solenoide/Piloto, Colector, 750l/min.

Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 450 A, 1.200 V, ECONOD 2 Doble, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: IFF450B12ME4PB11BPSA1

Infineon Módulo IGBT, IFF450B12ME4PB11BPSA1, N-Canal, 450 A, 1.

Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW80C65D2XKSA1

Infineon Diodo, IDW80C65D2XKSA1, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines.

Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW80C65D2XKSA1

Infineon Diodo, IDW80C65D2XKSA1, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines.

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Infineon Módulo IGBT, N-Canal, 450 A, 1.200 V, ECONOD 2 Doble, Tensión Máxima Puerta-Emisor: 20V, Disipación de Potencia Máxima: 20 mW, MPN: IFF450B12ME4PB11BPSA1

Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW80C65D2XKSA1

Infineon Diodo, 80A, 650V Conexión de silicio, TO-247, 3-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: IDW80C65D2XKSA1