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Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR35APE6327HTSA1, NPN 45 MA 15 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple

About The Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 45 mA 15 V SOT-23, 3 pines, 5 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 280 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 20 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 2,5 V, Dimensiones: 2.9 x 1

Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 45 mA 15 V SOT-23, 3 pines, 5 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 280 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 20 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 2,5 V, Dimensiones: 2.9 x 1.3 x 0.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFR35APE6327HTSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR35APE6327HTSA1, NPN 45 MA 15 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple

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Specifications of Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR35APE6327HTSA1, NPN 45 MA 15 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple

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