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Infineon IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

About The 16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60T.03 x 21

Infineon IGBTFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.03 x 21.1 x 5.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60T

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Infineon IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

More from Infineon? Infineon IGBTFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación De Potencia Máxima: 333 W, Tipo De Montaje: Montaje En Orificio Pasante, Dimensiones: 16.03 X 21.1 X 5.16mm, Temperatura Máxima De Funcionamiento: +175 °C, Temperatura De Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60T
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Specifications of Infineon IGBT, IKW50N60TFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines

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Contitech Correa síncrona, 225 dientes con paso de 8mm, dim: 1800mm x 30mm, Máxima Velocidad: 50m/s, Altura del Diente: 3.4mm, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -20°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +100°C, MPN: 1800 8M 30 CXP
    • RS PRO Terminal redondo de crimpado aislado de Cobre, Rojo, Ø int.
    • Sandisk Tarjeta Micro SD MicroSDHC No 16 GB, Calificación de clase de velocidad: Class 10, MPN: SDSDQAD-016G
    • Zerynth Kit de desarrollo Industrial IoT Kit de, con núcleo MCU de 32 bits, Tecnología: Microcontrolador de 32 bits, Nombre de familia del procesador: ESP32, MPN: KIT-I40-01-F016
    • Amphenol ICC Conector D-sub, Serie SD, Recto, Hembra, Número de Contactos: 9, MPN: L717SDEH09POL2RM8
    • Amphenol ICC Conector para tarjeta SD SD de 9 contactos, 1 fila, Push-Push, MPN: GSD090012SEU

    Amphenol ICC Conector para tarjeta SD SD de 9 contactos, 1 fila, Push-Push, MPN: GSD090012SEU

    Amphenol ICC Conector para tarjeta SD SD de 9 contactos, 1 fila, Push-Push.

    • Infineon IGBTFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.03 x 21.1 x 5.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60T
    • Infineon Transistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: SIPMOS®, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
    • Infineon IGBTFKSA1, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.03 x 21.1 x 5.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60T
    • Infineon Transistor MOSFET BSP171PH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: SIPMOS®, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C