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Infineon MOSFET IPD30N10S3L34ATMA1, VDSS 100 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

About The 5mm. Simple, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 42 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2

Simple, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 42 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 57 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.5mm Infineon MOSFET IPD30N10S3L34ATMA1, VDSS 100 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Infineon MOSFET IPD30N10S3L34ATMA1, VDSS 100 V, ID 30 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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