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STMicroelectronics MOSFET SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 De 4 Pines

About The 024 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Material del transistor: SiC.STMicroelectronics MOSFET SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

STMicroelectronics MOSFET SCTWA90N65G2V-4, VDSS 650 V, ID 119 A, HiP247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.024 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Material del transistor: SiC

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