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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio Photoconductive, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Superficial, Encapsulado

About The superficial, encapsulado, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Encapsulado: BNC, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Pines: 1, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Longitud: 24. 970nm, mont

970nm, mont. OSI Optoelectronics Fotodiodo de silicio Photoconductive, IR, λ sensibilidad máx. superficial, encapsulado, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Encapsulado: BNC, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Pines: 1, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1100nm, Longitud: 24.77mm, Altura: 26.16mm, Fotosensibilidad de Pico: 0.65A/W, Polaridad: Inverso, MPN: PIN-10D

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OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio Photoconductive, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Superficial, Encapsulado

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Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiodo De Silicio Photoconductive, IR, λ Sensibilidad Máx. 970nm, Mont. Superficial, Encapsulado

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