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Infineon MOSFET IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The Infineon MOSFET IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 32 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10

Infineon MOSFET IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 32 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.31mm, MPN: IPB320N20N3 G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET IPB320N20N3GATMA1, VDSS 200 V, ID 34 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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