Aislado, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 400 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm Infineon MOSFET IRF7104PBF, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.
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Infineon MOSFET IRF7104PBF, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Infineon MOSFET IRF7104PBF, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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