Infineon MOSFET SPD18P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 18,6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 2.41mm, MPN: SPD18P06P G
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Infineon MOSFET SPD18P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 18,6 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET SPD18P06PGBTMA1, VDSS 60 V, ID 18,6 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple | |
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