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Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2ESG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

About The .onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20.0V, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: NXH35C120L2C2ESG

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2ESG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

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Specifications of Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2ESG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6

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Onsemi Módulo IGBT, NXH35C120L2C2ESG, N-Canal, 35 A, 650 V, DIP26 6
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Thermaltronics Estación de soldadura TMT-9000S, de 2 salidas, 220 → 240V / 40W, hasta 475°C, Tipo de Display: LCD, Protección ESD: Sí, MPN: TMT-9000S-2
    • Thermaltronics Estación de soldadura TMT-2000S, de 2 salidas, 100 → 240V / 50W, hasta 475°C, Tipo de Display: Digital, Protección ESD: Sí, MPN: TMT-2000S-K
    • onsemi Transistor MOSFET NTBGS6D5N15MC, VDSS 150 V, ID 121 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,004 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V
    • onsemi Transistor MOSFET NTBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,04 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC
    • onsemi Transistor MOSFET NTBG040N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,04 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC