onsemi Transistor MOSFET NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,11 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC
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Onsemi Transistor MOSFET NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 De 4 Pines
Specifications of Onsemi Transistor MOSFET NTH4L080N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 29 A, TO-247-4 De 4 Pines | |
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