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Onsemi Transistor MOSFET NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 De 4 Pines

About The 3V, Material del transistor: SiC.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,16 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4

onsemi Transistor MOSFET NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 de 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,16 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi Transistor MOSFET NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 De 4 Pines

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Specifications of Onsemi Transistor MOSFET NVH4L160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 17,3 A, TO-247-4 De 4 Pines

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