Onsemi MOSFET FQA8N100C, VDSS 1000 V, ID 8 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,45 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 225000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.onsemi MOSFET FQA8N100C, VDSS 1000 V, ID 8 A, TO-3PN de 3 pines,, config
onsemi MOSFET FQA8N100C, VDSS 1000 V, ID 8 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,45 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 225000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FQA8N100C, VDSS 1000 V, ID 8 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FQA8N100C, VDSS 1000 V, ID 8 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple | |
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