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Onsemi Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STG, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

About The 8 x 11.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 186 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 66

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 186 W, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 66.2 x 32.8 x 11.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 32.8mm, MPN: NXH100B120H3Q0STG

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Onsemi Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STG, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

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Specifications of Onsemi Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0STG, N-Canal, 1.200 V, Q0BOOST, 22-Pines Doble

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