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Onsemi MOSFET NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

About The 2 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0

onsemi MOSFET NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.2 A, SOT-23 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.94mm, Longitud: 2.92mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

Bourns Fusible rearmable,, 0.3A 2920 60V, Corriente de Disparo: 0.6A, Tiempo de Retardo hasta el Disparo: 3s, Corriente Máxima: 40 A, Longitud: 7.98mm, Altura: 3.18mm, Anchura: 5.44mm, Material de los Terminales: Latón Chapado en Estaño, Resistencia Mínima: 0.9Ω, Resistencia Máxima: 4.8Ω, Disipación de Potencia: 1.7W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, MPN: MF-SM030-2
Bourns Fusible rearmable,, 1.1A 2920 30V, Corriente de Disparo: 2.2A, Tiempo de Retardo hasta el Disparo: 0.5s, Corriente Máxima: 80 A, Longitud: 7.98mm, Altura: 3mm, Anchura: 5.44mm, Material de los Terminales: Latón Chapado en Estaño, Resistencia Mínima: 0.12Ω, Resistencia Máxima: 480mΩ, Disipación de Potencia: 1.7W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, MPN: MF-SM100-2
More from Onsemi? Simple, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 160 MΩ, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Mínima: 0.8V, Disipación De Potencia Máxima: 500 MW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.94mm, Longitud: 2.92mm
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Specifications of Onsemi MOSFET NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

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Onsemi MOSFET NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.2 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple
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TE Connectivity Inductor de montaje en superficie bobinado, 470 nH, ±5% 1008, SRF:450MHZ, Q:45, 470mA Idc, Serie 3650, Longitud: 2.92mm, Profundidad: 2.79mm, Altura: 2.1mm, Dimensiones: 2.92 x 2.79 x 2.1mm, Máxima Resistencia DC: 1.19Ω, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: 36502CR47JTDG
    • TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento KUP de 3 polos, 3PDT, bobina 240V ac, 10A, enchufable, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Conexión rápida, Longitud: 38.9mm, Resistencia de la Bobina: 7200Ω, Material de los Contactos: Aleación de Plata, Profundidad: 35.7mm, Altura: 48.4mm, Tipo de Aplicación: Aplicaciones Generales, MPN: KUP-14A15-240
    • onsemi MOSFET NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.onsemi MOSFET NDT3055L, VDSS 60 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines,, config.

    • Bourns Fusible rearmable,, 0.5A 1812 15V, Corriente de Disparo: 1A, Tiempo de Retardo hasta el Disparo: 0.15s, Corriente Máxima: 100 A, Longitud: 4.73mm, Altura: 0.85mm, Anchura: 3.41mm, Material de los Terminales: Níquel Oro Químico (ENIG), Resistencia Mínima: 0.15Ω, Resistencia Máxima: 1Ω, Disipación de Potencia: 0.8W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, MPN: MF-MSMF050-2
    • Bourns Fusible rearmable,, 0.5A 1812 15V, Corriente de Disparo: 1A, Tiempo de Retardo hasta el Disparo: 0.15s, Corriente Máxima: 100 A, Longitud: 4.73mm, Altura: 0.85mm, Anchura: 3.41mm, Material de los Terminales: Níquel Oro Químico (ENIG), Resistencia Mínima: 0.15Ω, Resistencia Máxima: 1Ω, Disipación de Potencia: 0.8W, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, MPN: MF-MSMF050-2