Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 385 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 107.5 x 45 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: FS75R12KT4_B15
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Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico
Specifications of Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT4B15BOSA1, N-Canal, 75 A, 1.200 V, Econo2, 28-Pines, 1MHZ Trifásico | |
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