Taiwan Semiconductor MOSFET TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, PDFN56 De 8 Pines
About The Taiwan Semiconductor MOSFET TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio
Taiwan Semiconductor MOSFET TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Taiwan Semiconductor MOSFET TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, PDFN56 De 8 Pines
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Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET TSM110NB04CR, VDSS 40 V, ID 54 A, PDFN56 De 8 Pines | |
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