Infineon MOSFET IPD075N03LGATMA1, VDSS 30 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 11,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 47 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: IPD075N03L G
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Infineon MOSFET IPD075N03LGATMA1, VDSS 30 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET IPD075N03LGATMA1, VDSS 30 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Config. Simple | |
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