IXYS MOSFET IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple, Serie: HiperFET, Polar, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 38.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
IXYS MOSFET IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 De 4 Pines, Config. Simple
Specifications of IXYS MOSFET IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 De 4 Pines, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |