IXYS MOSFET IXFK26N120P, VDSS 1200 V, ID 26 A, TO-264 De 3 Pines,, Config. Simple
About The 96mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Serie: HiperFET, Polar, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 460 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6
IXYS MOSFET IXFK26N120P, VDSS 1200 V, ID 26 A, TO-264 de 3 pines,, config. Simple, Serie: HiperFET, Polar, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 460 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 6.5V, Disipación de Potencia Máxima: 960000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 19.96mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
IXYS MOSFET IXFK26N120P, VDSS 1200 V, ID 26 A, TO-264 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of IXYS MOSFET IXFK26N120P, VDSS 1200 V, ID 26 A, TO-264 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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