Infineon MOSFET IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm
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Infineon MOSFET IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET IPP200N25N3GXKSA1, VDSS 250 V, ID 64 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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