Toshiba MOSFET TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20mm, Longitud: 15.5mm
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Toshiba MOSFET TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN De 3 Pines,, Config. Simple | |
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