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STMicroelectronics MOSFET STB7NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 5,2 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm

STMicroelectronics MOSFET STB7NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 5,2 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: MDmesh, SuperMESH, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.75mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

STMicroelectronics MOSFET STB7NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 5,2 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of STMicroelectronics MOSFET STB7NK80ZT4, VDSS 800 V, ID 5,2 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Tempo Kingfisher Kit de prueba para fibra óptica KI 2700, Monomodo y multimodo, 850 → 1300 and 1310 →, Tipo de Conector: SC Intercambiable, Longitud de Onda: 850 → 1300 and 1310 → 1550nm, Resolución: 0,01 dB, MPN: T27624
    • SMC Generador de vacío ZH10DLA-06-06-08, diám. boquilla 1mm, -48kPa, 52l/min

    SMC Generador de vacío ZH10DLA-06-06-08, diám. boquilla 1mm, -48kPa, 52l/min

    boquilla 1mm, -48kPa, 52l/min, Máxima Presión de Entrada: 0.

    • SMC Generador de vacío ZH20DLA-03-04-04, diám. boquilla 2mm, -66kPa, 155l/min

    SMC Generador de vacío ZH20DLA-03-04-04, diám. boquilla 2mm, -66kPa, 155l/min

    45MPa, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +50°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -5°C, Tamaño de puerto de escape: RC 1/2.SMC Generador de vacío ZH20DLA-03-04-04, diám. boquilla 2mm, -66kPa, 155l/min, Máxima Presión de Entrada: 0.

    • STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: STripFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.6mm.

    • STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: STripFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 80 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm.STMicroelectronics MOSFET STD35NF06T4, VDSS 60 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config.