Onsemi MOSFET FQB55N10TM, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,75 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FQB55N10TM, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config
onsemi MOSFET FQB55N10TM, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: QFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,75 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FQB55N10TM, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FQB55N10TM, VDSS 100 V, ID 55 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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