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Onsemi MOSFET FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

About The onsemi MOSFET FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Serie: PowerTrench, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Simple, Serie: PowerTrench, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C onsemi MOSFET FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC de 8 pines,, config.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET FDS3572, VDSS 80 V, ID 8,9 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple

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Rating :- 9.68 /10
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ifm electronic Sensor de efecto Hall, alcance 1,7 mm, 10 → 30 V dc, salida PNP, 50 mA, Conector M12, IP65, IP68,, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Estilo de Montaje: Montaje aéreo, Tensión DC Máxima: 30V, Frecuencia de Conmutación: 15 kHz, Anchura: 15 (Dia.)mm, Profundidad: 60mm, Dimensiones: 15 (diám.) x 60 mm, Índice de Protección IP: IP65, IP68, IP69K, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +85°C, Material de la Carcasa: Latón (conector hembra), FPM (junta tórica), poliamida, MPN: MX5050
    • Bekina Botas de agua de seguridad, talla 46, Género: Unisex, Talla de zapato, UK: 11, Talla de zapato, EE.UU.: 12, Tipo de puntera de seguridad: Acero, MPN: B101/46
    • Bekina Botas de agua de seguridad, talla 38, Género: Unisex, Talla de zapato, UK: 5, Talla de zapato, EE.UU.: 6, Tipo de puntera de seguridad: Acero, MPN: B029/38
    • onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Serie: PowerTrench, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Serie: PowerTrench, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 14 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.onsemi MOSFET FDS8878, VDSS 30 V, ID 10,2 A, SOIC de 8 pines,, config.