Infineon MOSFET SPA08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220 FP De 3 Pines,, Config. Simple
About The 1V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 16.Infineon MOSFET SPA08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220 FP de 3 pines,, config
Simple, Tipo de Encapsulado: TO-220FP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.9V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.1V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 16.15mm Infineon MOSFET SPA08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220 FP de 3 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon MOSFET SPA08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220 FP De 3 Pines,, Config. Simple
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Specifications of Infineon MOSFET SPA08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, TO-220 FP De 3 Pines,, Config. Simple | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
