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Vishay MOSFET SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 1.15mm

Vishay MOSFET SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 26 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 1.07mm, Longitud: 3.15mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Vishay MOSFET SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 De 8 Pines,, Config. Simple

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Schneider Electric Interruptor automático 3P, 25A, Curva Tipo MA, Acti 9, MPN: 18884

Schneider Electric Interruptor automático 3P, 25A, Curva Tipo MA, Acti 9, MPN: 18884

Schneider Electric Interruptor automático 3P, 25A, Curva Tipo MA, Acti 9.

    • TE Connectivity Tubo termorretráctil de Poliolefina Negro, contracción 3:1, Ø 6.4mm, long. 300mm
    • Texas Instruments NAND: Puerta lógica, LVC, Dual 32mA VSSOP 8 pines 2 No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -32mA, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 3.3 ns @ 5 V, 4.3 ns @ 3.3 V, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,65 V, Dimensiones: 2.3 x 2 x 0.85mm, MPN: SN74LVC2G00DCUT
    • Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config.07mm, Longitud: 5.2V, Disipación de Potencia Máxima: 15,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.

    • Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    99mm. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 15,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.Vishay MOSFET SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos, config.