NXP Microcontrolador MC9S12XEP100CAG, Núcleo HSC12X De 16bit, RAM 64 KB, 50MHZ, LQFP De 144 Pines

About The NXP Microcontrolador MC9S12XEP100CAG, núcleo HSC12X de 16bit, RAM 64 kB, 50MHZ, LQFP de 144 pines, Nombre de la Familia: HCS12, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 1 MB, Número de Unidades PWM: 1 x 8/16 bit, Número de Canales SPI: 3

NXP Microcontrolador MC9S12XEP100CAG, núcleo HSC12X de 16bit, RAM 64 kB, 50MHZ, LQFP de 144 pines, Nombre de la Familia: HCS12, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 1 MB, Número de Unidades PWM: 1 x 8/16 bit, Número de Canales SPI: 3

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NXP Microcontrolador MC9S12E128CPVE, núcleo HSC12 de 16bit, RAM 8 kB, 50MHZ, LQFP de 112 pines, Nombre de la Familia: HCS12, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 128 kB, Número de Unidades PWM: 2 x 8/16 bit

Taiwan Semiconductor Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 275V, Tensión Mínima de Ruptura: 189V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 170V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 2.2A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.75 x 3.95 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ170A

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Specifications of NXP Microcontrolador MC9S12XEP100CAG, Núcleo HSC12X De 16bit, RAM 64 KB, 50MHZ, LQFP De 144 Pines
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Last Updated January 15th, 2025 11:32 pm

NXP Microcontrolador MC9S12XEP100CAG, Núcleo HSC12X De 16bit, RAM 64 KB, 50MHZ, LQFP De 144 Pines

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HOBUT Transformador de corriente CTSCEN, Montaje por Clip, ratio: 100:5, 200:5, 300:5, 400:5, Altura Total: 113mm, Anchura Total: 127mm, Profundidad Total: 40mm, Temperatura Mínima: -30°C, Temperatura Máxima: +80°C, Tipo de Montaje: Ajuste de clip, MPN: CTSCEN100

HOBUT Transformador de corriente CTSCEN, Montaje por Clip, ratio: 100:5, 200:5, 300:5, 400:5.

Wurth Elektronik Anillo de ferrita 7427018, Núcleo Toroidal, para Supresión EMI, 18.6 x 10.2 x 6mm, Material: 4 W 1500, Diámetro Interno: 10.2mm

6 x 10.

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 10A, 40V Barrera Schottky, TO-277A, 3-Pines 560mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 280A, MPN: SS10P4-M3/86A

Vishay Diodo, SS10P4-M3/86A, Rectificador Schottky, 10A, 40V Barrera Schottky, TO-277A, 3-Pines 560mV.

Vishay MOSFET SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines,, config. Simple

6V, Disipación de Potencia Máxima: 19 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 2.Vishay MOSFET SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines,, config. Simple, Serie: ThunderFET, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 130 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

Wurth Elektronik Anillo de ferrita 742701703, Núcleo Toroidal, para Supresión EMI, 25 x 15 x 12mm, Material: 7 W 380, Diámetro Interno: 15mm, Diámetro Exterior: 25mm

Wurth Elektronik Anillo de ferrita 742701703, Núcleo Toroidal, para Supresión EMI, 25 x 15 x 12mm.

Taiwan Semiconductor Diodo TVS Unidireccional, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Configuración de diodo: Simple, Tensión Residual Máxima: 275V, Tensión Mínima de Ruptura: 189V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 170V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 2.2A, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -55 °C, Dimensiones: 4.75 x 3.95 x 2.45mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SMBJ170A

Taiwan Semiconductor Diodo TVS Unidireccional, SMBJ170A, 600W, DO-214AA (SMB), 2-Pines.