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Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The 0111 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V.Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0111 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Infineon MOSFET IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
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Infineon MOSFET IPP023N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0023 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V
    • Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V
    • Infineon MOSFET IPD80R1K4CEATMA1, VDSS 800 V, ID 3,9 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: CoolMOS™ CE, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.9V
    • Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS460S

    Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS460S

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    • Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS460S

    Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS460S

    Honeywell Sensor de efecto Hall, SS460S, TO-92 3 pines.