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Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 De 3 Pines

About The 5V.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 De 3 Pines

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Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 De 3 Pines
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Texas Instruments Conmutador limitador de corriente TPS2080D, 2 entradas, 2 salidas, 0.5A, SOIC, 8 pines, Tensión Máxima de Entrada: 5,5 V, Tensión de Entrada Mínima: 2,7 V, Límite de Corriente: 1A, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 4.9mm, Ancho: 3.91mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: 0 °C
    • Honeywell Sensor de efecto Hall, Single ejes, TO-92 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, MPN: SS495B
    • Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS461R

    Honeywell Sensor de efecto Hall, TO-92 3 pines, MPN: SS461R

    Honeywell Sensor de efecto Hall, SS461R, TO-92 3 pines.

    • Texas Instruments Regulador de tensión TLV1117-33CDCY, 800mA SOT-223, 3+Tab pines, Tipo de regulador: Tensión de caída baja, Tensión de Salida: 3,3 V, Regulación de Línea: 0,2%, Regulación de Carga: 0,4%, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Polaridad: Positivo, Corriente Quiescente: 5mA, Tipo de Salida: Fijo, Dimensiones: 6.5 x 3.5 x 1.6mm, Tensión Máxima de Entrada: 15 V
    • KEMET Condensador de película, 100nF, ±10%, 310V ac, Montaje en orificio pasante, Tensión: 310 V ac, 630 V dc, Serie: R46, Paso del Pin: 15mm, Clase de Supresión: X2, Longitud: 18mm, Altura: 11mm, Dimensiones: 18 x 5 x 11mm, Dieléctrico: Polipropileno metalizado, Gama de material dieléctrico: Polipropileno (PP), Factor de Disipación: ≤0.1%, Diámetro del Pin: 0.6mm, MPN: R463I310050M1K
    • Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.

    Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.

    52mm, grosor 6mm. Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.52mm, grosor 6mm, Tipo de Sellado: Sello de eje giratorio, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +100°C, MPN: 40412325 40mm, Ø ext. 40mm, Ø ext.

    • Infineon MOSFET IPP023N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0023 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V
    • Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V
    • Infineon MOSFET IPP023N08N5AKSA1, VDSS 80 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, Serie: OptiMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.0023 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.8V
    • Infineon MOSFET IPN80R1K4P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 4 A, SOT-223 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ P7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1.4 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V