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Onsemi Diodo, 1N4006G, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V

About The onsemi Diodo, Caso 59-10, 2-Pines 1.7mm, MPN: 1N4006G

onsemi Diodo, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Diámetro: 2.7mm, MPN: 1N4006G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodo de Conmutación

Onsemi Diodo, 1N4006G, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V

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Specifications of Onsemi Diodo, 1N4006G, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V

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Onsemi Diodo, 1N4006G, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V
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TE Connectivity Contacto de crimpado macho serie Economy Interconnect, de Bronce Fosforado, sección máx. 20AWG, 0.5mm²

TE Connectivity Contacto de crimpado macho serie Economy Interconnect, de Bronce Fosforado, sección máx. 20AWG, 0.5mm²

TE Connectivity Contacto de crimpado macho serie Economy Interconnect, de Bronce Fosforado, sección máx. 20AWG, 0.1mm², Revestimiento del Contacto: Estaño, Tamaño de cable mínimo AWG: 26AWG, MPN: 170429-2.5mm², Para Uso Con: Carcasa de conector de interconexión económica, Tamaño de cable mínimo mm2: 0.

    • onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5340BG +200 °C 5 W 1μA 1Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 6V 1 CASE, Tipo de Encapsulado: CASE 017AA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 1µA
    • Vishay MOSFET SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 1,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6,2 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config.

    • onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 200mA 1.2V 1N5239B +200 °C 500 mW 3μA 10 Ω @ 20 mA, 600 Ω @ 0.25 mA -65 °C, Tensión Nominal de Zener: 9.1V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA
    • onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 200mA 1.2V 1N5232B +200 °C 500 mW 5μA 11 Ω @ 20 mA, 1600 Ω @ 0.25 mA -65, Tensión Nominal de Zener: 5.6V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA
    • superficial, encapsulado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Pines: 8, Encapsulado: PDIP, Tiempo de Subida Típico: 0.1µs, MPN: VO3150A-X007T
    • onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4747A +200 °C 1 W 5μA 22Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 20V 1 DO-41 2 Diodo, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 12.5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA
    • onsemi Diodo, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Diámetro: 2.7mm, MPN: 1N4006G
    • onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4747A +200 °C 1 W 5μA 22Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 20V 1 DO-41 2 Diodo, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 12.5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA
    • onsemi Diodo, Caso 59-10, 2-Pines 1.1V, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Diámetro: 2.7mm, MPN: 1N4006G