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Onsemi Transistor, 2N5192G, NPN 4 A 80 V Dc TO-225, 3 Pines, 1 MHz, Simple

About The 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2N5192G.onsemi Transistor, NPN 4 A 80 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 20, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7

onsemi Transistor, NPN 4 A 80 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 20, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2N5192G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor, 2N5192G, NPN 4 A 80 V Dc TO-225, 3 Pines, 1 MHz, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor, 2N5192G, NPN 4 A 80 V Dc TO-225, 3 Pines, 1 MHz, Simple

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Onsemi Transistor, 2N5192G, NPN 4 A 80 V Dc TO-225, 3 Pines, 1 MHz, Simple
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RS PRO Tornillo de cabeza hexagonal Galvanizado brillante, Acero, M20 x 70mm, Imperial o Métrica: Métrico, Grado: Gr 10.9
    • RS PRO Tornillo de cabeza hexagonal Galvanizado brillante, Acero, M12 x 45mm, Imperial o Métrica: Métrico, Grado: Gr 10.9
    • Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.

    Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.

    40mm, Ø ext. 72mm, grosor 7mm. Freudenberg Sealing Technologies Simrit Junta para eje giratorio de 72 NBR 902, Ø int.72mm, grosor 7mm, Tipo de Sellado: Sello de eje giratorio, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +100°C, MPN: 40413791 40mm, Ø ext.

    • onsemi Inversor, Terminación Única Hex canales SOIC 14 pines 74ACT, Tipo de Entrada: TTL, Número de Elementos por Chip: 6, Tipo de Retardo de Propagación Máxima @ CL Máximo: 9 ns @ 50 pF, Corriente Máxima de Salida de Alto Nivel: -24mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 8.75 x 4 x 1.5mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Longitud: 8.75mm, MPN: 74ACT04SC
    • onsemi Transistor, NPN 15 A 60 V TO-220F, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 23 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 200, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 10.16 x 4.7 x 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC6082-1E
    • ABB Interruptor automático 4P, 10A, Curva Tipo D, SMISSLINE TP, Montaje en Carril DIN, Tensión nominal ac: 400V, MPN: ABB2CCS573103R8101
    • onsemi Transistor, NPN 4 A 80 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 20, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2N5192G
    • onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5358BG +200 °C 5 W 500nA 3.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 22V 1, Tipo de Encapsulado: CASE 017AA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%
    • onsemi Transistor, NPN 4 A 80 V dc TO-225, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 20, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2N5192G
    • onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5358BG +200 °C 5 W 500nA 3.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 22V 1, Tipo de Encapsulado: CASE 017AA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%