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Infineon MOSFET IPD33CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The 033 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V.Infineon MOSFET IPD33CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: OptiMOS™ 2, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

Infineon MOSFET IPD33CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: OptiMOS™ 2, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.033 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

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Specifications of Infineon MOSFET IPD33CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 27 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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