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Onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN De 8 Pines

About The 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3

onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 106 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN De 8 Pines

More from Onsemi? Onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN De 8 Pines, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 MΩ, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 3.5V, Tensión De Umbral De Puerta Mínima: 2.5V, Disipación De Potencia Máxima: 106 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima De Funcionamiento: +175 °C
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Specifications of Onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN De 8 Pines

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Onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN De 8 Pines
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Rating :- 9.96 /10
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Vishay Resistencia, de 15kΩ ±5%, 2W, Serie PR02, Tecnología: Película de Metal, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, Coeficiente de Temperatura: ±250ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: PR02000201502JA100
    • Lumberg Conector con contactos de crimpado 3114 09 9 contactos, Tipo de Conector: Cable, Material del Cuerpo: PBT, Longitud: 25mm, Serie: Minimodul
    • Vishay Resistencia, de 8.2kΩ ±5%, 2W, Serie PR02, Tecnología: Película de Metal, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, Coeficiente de Temperatura: ±250ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: PR02000208201JA100
    • Epson Cartucho de tinta,, Magenta, para usar con BX300F, S20, S21, SX100, SX105, SX115, SX205, SX215, SX218, SX400,, Modelo de cartucho: T0893, Funciona con modelos de impresora: BX300F, S20, S21, SX100, SX105, SX115, SX205, SX215, SX218, SX400, SX415, MPN: C13T08934010
    • Littelfuse Varistor de óxido metálico ZA, tensión de ruptura 11V, 2.5A, 0.4J, 4.19nF, dim. 9 (Dia.) x 5mm, paso 6mm
    • FAG Rodamiento de bolas Rodamiento de bolas de ranura profunda de fila única de Acero, Ø int.

    FAG Rodamiento de bolas Rodamiento de bolas de ranura profunda de fila única de Acero, Ø int.

    25mm, Ø ext.47mm, ancho, Anchura del Anillo: 16mm, Disposición del sellado: Ambos lados sellados, Distancia de rodamientos: CN, Valor Nominal de Carga Estática: 5.

    • onsemi MOSFET NTMFS5H600NLT1G, VDSS 60 V, ID 250 A, DFN de 4 + Tab pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
    • onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 106 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
    • onsemi MOSFET NTMFS5H600NLT1G, VDSS 60 V, ID 250 A, DFN de 4 + Tab pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
    • onsemi MOSFET NTMFS5C430NT1G, VDSS 40 V, ID 185 A, DFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 106 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C