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Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 De 3 Pines

About The Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V.

Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ C7, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 De 3 Pines

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Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 De 3 Pines
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Phoenix Contact Borne para PCB de 12 vías, paso 3.81mm, 8A, terminación Tornillo, Tipo: Bloque de terminales PCB, Tensión Nominal: 250 V, Serie: MKDS 1/12-3.81 SMD BK, Longitud: 7.3mm, Material: Poliamida, MPN: 1727324
    • Bourns Matriz de resistencias, 33kΩ, ±5%,, aislado, 4 resistencias, 0.25W, 1206 (3216M), Serie CAY16, Convexo, Tipo de resistencia: Array, Estilo de la Carcasa: Moldeado, Potencia Nominal por Resistor: 0.062W, Designador de Circuito: ISOL, Longitud: 3.2mm, Profundidad: 1.6mm, Altura: 0.5mm, Dimensiones: 3.2 x 1.6 x 0.5mm, Número de terminales: 8, MPN: CAY16-333J4LF
    • Infineon Driver de puerta MOSFET IR11682STRPBF, 4 A SOIC8N 8 pines

    Infineon Driver de puerta MOSFET IR11682STRPBF, 4 A SOIC8N 8 pines

    Infineon Driver de puerta MOSFET IR11682STRPBF, 4 A SOIC8N 8 pines.

    • Infineon MOSFET IPW60R099CPAFKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 105 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V
    • Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 de 8 pines, Serie: CoolMOS™ G7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • Infineon MOSFET IPS70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, IPAK SL (TO-251 SL) de 3 pines

    Infineon MOSFET IPS70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, IPAK SL (TO-251 SL) de 3 pines

    Infineon MOSFET IPS70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, IPAK SL (TO-251 SL) de 3 pines.

    • Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ C7, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • 152.4mm Blanco, Terminado/Sin terminación: Terminado, Diámetro Externo: 2.7mm, Atenuación: 0,25 dB, Tensión Nominal: 250 V ac, Material Conductor: Latón, Material de Aislamiento: Politetrafluoroetileno (PTFE), Máxima Temperatura de funcionamiento: +80°C, MPN: 65503503215303
    • Infineon MOSFET IPP60R060C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines, Serie: CoolMOS™ C7, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V
    • 152.4mm Blanco, Terminado/Sin terminación: Terminado, Diámetro Externo: 2.7mm, Atenuación: 0,25 dB, Tensión Nominal: 250 V ac, Material Conductor: Latón, Material de Aislamiento: Politetrafluoroetileno (PTFE), Máxima Temperatura de funcionamiento: +80°C, MPN: 65503503215303