Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 De 8 Pines

Name: Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 De 8 Pines, Serie: CoolMOS™ G7, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 M.Ω, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 4V | Infineon
Brand: Infineon
SKU: ABEA-43202
Price: 18919.56 EUR
Availability: InStock

About The Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V.Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 de 8 pines, Serie: CoolMOS™ G7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 m

Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 de 8 pines, Serie: CoolMOS™ G7, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 28 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPS70R900P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, IPAK SL (TO-251 SL) de 3 pines

Infineon MOSFET IPW60R099CPAFKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 105 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

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Specifications of Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 De 8 Pines
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Last Updated January 14th, 2025 04:29 am

Infineon MOSFET IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, HSOF-8 De 8 Pines

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Nexperia 2.7 x 1.7 x 1.2mm Simple BZT52H-B5V6 +150 °C 830 mW 1μA 40Ω -65 °C Montaje superficial 5.6V 1 -65 →, Tipo de Encapsulado: SOD-123F, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 5mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 1µA, Longitud: 2.7mm, Ancho: 1.7mm

7 x 1.Nexperia 2.6V 1 -65 →.2mm Simple BZT52H-B5V6 +150 °C 830 mW 1μA 40Ω -65 °C Montaje superficial 5.

152.4mm Blanco, Terminado/Sin terminación: Terminado, Diámetro Externo: 4.95mm, Atenuación: 0,19 dB, Tensión Nominal: 335 V ac, Material Conductor: Latón, Material de Aislamiento: Politetrafluoroetileno (PTFE), Máxima Temperatura de funcionamiento: +80°C, MPN: 65503503515301

. B: SMA, Macho, long.4mm Blanco A: SMA, Macho, con.

Phoenix Contact Borne para PCB de 12 vías, paso 3.81mm, 8A, terminación Tornillo, Tipo: Bloque de terminales PCB, Tensión Nominal: 250 V, Serie: MKDS 1/12-3.81 SMD BK, Longitud: 7.3mm, Material: Poliamida, MPN: 1727324

Phoenix Contact Borne para PCB de 12 vías, paso 3.

Bourns Matriz de resistencias, 33kΩ, ±5%,, aislado, 4 resistencias, 0.25W, 1206 (3216M), Serie CAY16, Convexo, Tipo de resistencia: Array, Estilo de la Carcasa: Moldeado, Potencia Nominal por Resistor: 0.062W, Designador de Circuito: ISOL, Longitud: 3.2mm, Profundidad: 1.6mm, Altura: 0.5mm, Dimensiones: 3.2 x 1.6 x 0.5mm, Número de terminales: 8, MPN: CAY16-333J4LF

25W, 1206 (3216M), Serie CAY16, Convexo.Bourns Matriz de resistencias, 33kΩ, ±5%,, aislado, 4 resistencias, 0.

Infineon Driver de puerta MOSFET IR11682STRPBF, 4 A SOIC8N 8 pines

Infineon Driver de puerta MOSFET IR11682STRPBF, 4 A SOIC8N 8 pines.

Infineon MOSFET IPW60R099CPAFKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 105 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V

Infineon MOSFET IPW60R099CPAFKSA1, VDSS 600 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines.