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Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 De 3 Pines

About The Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,04 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio

Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,04 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 De 3 Pines

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Infineon MOSFET IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, TO 263 De 3 Pines
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No Climb Pértiga telescópica serie Solo, alcance: 4.5m, Tipo de alarma: Humo, MPN: SOLO100
    • Wiha Herramienta de crimpado, Para Uso Con: Ferruelas de alambre, Funcionamiento: Mano, Para Uso Con: Para procesamiento de fundas terminales de cable, MPN: Z62000506SB
    • Wiha Kit de herramientas, Funda de 13 piezas, para electricistas, aprobado VDE, Tipo de Juego: Kit de herramientas para electricista, Contenido del Juego: Alicates de corte de cables, alicates de corte, alicates, destornillador, herramienta pelacables, Aprobado VDE/1000V: Sí, MPN: 9300025
    • Infineon MOSFET IPD60R280P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-252 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio
    • Infineon MOSFET IPD60R280P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-252 de 3 pines, Serie: CoolMOS™, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Material del transistor: Silicio