reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

About The Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10

Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 230000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.66mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon MOSFET IRFB3306PBF, VDSS 60 V, ID 160 A, TO-220AB De 3 Pines,, Config. Simple
More Varieties

Rating :- 9.68 /10
Votes :- 40
Facom Llave hexagonal, métrica de 12mm, Imperial o Métrica: Métrico, Conducto Largo o Corto: Largo, Material: Acero al Silicio, MPN: 83H.12
    • LEM Transformador de corriente LA, entrada 200A, ratio: 200:1, Tamaño del diámetro interno: 13 x 11mm, Tecnología de sensores: Lazo Cerrado, Tensión de Alimentación: 12 → 15 V, Corriente de Salida: 125 mArms, Altura Total: 33.6mm, Anchura Total: 48.4mm, Profundidad Total: 21.4mm, Temperatura Mínima: -40°C, Temperatura Máxima: +85°C, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, MPN: LA 125P
    • Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.0mm, MPN: EB.25

    Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.0mm, MPN: EB.25

    0mm.Facom Mazo, de Poliuretano, Ø 25.

    • Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    66mm. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 140000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.

    • Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

    66mm. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 140000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Infineon MOSFET IRFB3607PBF, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-220AB de 3 pines, config.